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Der AMR ?Effekt
ist der bereits am längsten bekannte MR -Effektund beruht
auf anisotrope Streuung im Volumen ferromagnetischer
Metalle. Hier nützt man aus, dass der elektrische Widerstand
für elektrische Ströme parallel und senkrecht zur Magnetisierungsrichtung
unterschiedlich groß ist. Das Prinzip ist
einfach: Eine Magnetfeldänderung erzeugt eine Änderung
des elektrischen Widerstands in einem dünnen Film eines
weich - und ferromagnetischen Übergandsmaterial, welches
über eine einfache Elektronik ausgelesen wird. AMR wird vor
allem bei Leseköpfen (seit 1990) in Computerfestplatten
angewendet, aber auch bei MRAM ?Chips für die Raumfahrt.
In günstigen Fällen liegt die Effektgröße ?R / Rzwischen 3 ?
4 % und ist daher zu klein für die Massenproduktion kostengünstiger MRAM ?Speicher.
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