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Gestrecktes Silizium (engl. strained silicon) besteht aus einer Silizium-Germanium-Schicht (SiGe), auf die eine dünne Silizium-Schicht aufgetragen wird. Dadurch dass die SiGe-Schicht eine Kristallstruktur mit einer höheren Gitterkonstante, d. h. mit größeren Abständen zwischen den einzelnen Atomen, besitzt, wird an der Kontaktstelle der SiGe- und der Si-Schichten das Kristallgitter des Silizium etwas auseinandergezogen, so dass auch die Abstände zwischen den Si-Atomen größer werden.
Durch die größeren Abstände zwischen den Atomen wird die elektrische Leitfähigkeitbzw. die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht. Das wiederum führt zum schnelleren Transit der Elektronen durch die Silizium-Schicht und erlaubt so eine schnellere Schaltgeschwindigkeit des Transistors und dadurch auch eine schnellere Taktung des Prozessors.
Weblinks
- Strained Silicon - IBM-Technik macht Chips schneller(dt.)
- Grafik
en:strained silicon
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